RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
77
Autour de -235% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2726
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link