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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Comparez
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
3860
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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