RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Comparez
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Note globale
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
76
Autour de 45% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
76
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
1859
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link