Comparaison de la RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Note globale

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

23 26

Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.4 12.8

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.3 8.0

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2269 2186

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns