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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
23
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2801
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
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