RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3759
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link