RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2353
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link