RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3171
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link