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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
39
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2408
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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