RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
56
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3596
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link