RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
52
Autour de -79% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
3434
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link