RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
52
Autour de -126% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14900
Autour de 1.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
21300
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
3456
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link