RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2869
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link