RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2843
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link