RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3223
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link