RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
1941
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link