RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3336
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link