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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3350
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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