RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
66
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
66
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
1877
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link