RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
40
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
40
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2204
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link