RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
63
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
37
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2863
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link