RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3236
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link