RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
62
Autour de 56% latence réduite
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
62
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
1772
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link