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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
46
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2311
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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