RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
27
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
21
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3350
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link