RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
104
Autour de -117% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
48
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3061
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link