RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
104
Autour de -189% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2814
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link