RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
74
Autour de -155% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3221
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link