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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
73
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3236
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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