RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
73
Autour de -204% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3744
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link