RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
73
Autour de -232% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3926
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD AE34G2139U2 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link