RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
69
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3546
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link