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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de -37% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.9
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2389
2323
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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