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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2264
2987
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
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