RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
44
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
3181
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link