RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
2527
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link