RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
45
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2581
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link