RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
71
Autour de 37% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1616
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link