RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
48
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
32
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3137
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link