RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
48
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3222
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link