RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
48
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
24
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2078
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link