RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
52
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
52
Vitesse de lecture, GB/s
9.3
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1413
2182
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link