RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
3143
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link