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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Comparez
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
41
Autour de -21% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2016
1718
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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