RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2416
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link