RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2416
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link