RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
43
Autour de -87% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.0
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1393
3233
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link