RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
1732
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link