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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
77
Autour de -108% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
37
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3170
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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