RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
58
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
32
Vitesse de lecture, GB/s
8.2
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.4
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1718
2271
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link