RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
41
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
2389
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link